研究內容:面向半導體光電產業發展趨勢,重點開展高速光通訊用的半導體外延材料與芯片技術及應用方面的研究。高質量量子阱外延材料的設計與生長技術:半導體異質結構材料多場能帶剪裁、應變生長機理研究及可控制備;半導體激光器載流子動力學和調制特性:半導體異質結構材料中載流子、光子、聲子相互作用過程及高速調制機理研究;激光器光場模式調控和封裝技術,實現高效、穩定輸出;高速芯片的制備、工藝優化、以及可靠性研究,開展有源區結構設計、芯片制備工藝封裝工藝等研究,包括干法及濕法結合的半導體材料選擇性刻蝕技術、優化脊型波導形狀、AR和HR膜系的整體優化、散熱封裝等。研究異質性單元布局模型及其高效優化算法等科學問題,提出面向先進制程技術的VLSI異質性單元布局問題新的構想和解決方案。

  發展目標:實現高質量光通信波段外延片;光芯片用外延材料,質量可以滿足相關光芯片制備要求,所制光芯片的性能達到國際水平;實現大溫度范圍、無冷卻、單模激光器單模半導體激光器開發;研制出4×25G直調CWDM-DFB陣列芯片研制;解決面向先進制程技術的VLSI異質性單元布局問題。

超碰最新免费人人_av免费观看人人妻人人爽_毛片一区色哟哟在线观看_日本一道综合久久aⅴ免费